波長可変半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山口 昌幸 |
| 发表日期 | 1997-08-22 |
| 专利号 | JP2687884B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 波長可変半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 単一の制御電流で連続的な波長制御が可能な波長可変半導体レーザ及びその製造方法を提供する。 【構成】 活性領域、位相調整領域、DBR領域の3領域からなる分布反射型半導体レーザであって、位相調整領域のチューニング層はDBR領域のチューニング層に比べ層厚が厚いか、または波長組成が長波長に設定されており、位相調整領域及びDBR領域に均一に電流注入することで連続的な波長制御を実現する。チューニング層は選択MOVPE法により成長することで、位相調整領域とDBR領域とで厚さ及び波長組成を変える。 |
| 公开日期 | 1997-12-08 |
| 申请日期 | 1994-07-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42140]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山口 昌幸. 波長可変半導体レーザ及びその製造方法. JP2687884B2. 1997-08-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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