半導体デバイス
文献类型：专利
| 作者 | 梶川 靖友; 川津 善平 |
| 发表日期 | 2007-01-05 |
| 专利号 | JP3898786B2 |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体デバイス |
| 英文摘要 | 【課題】 InGaAs層よりも、GaAs基板に対する格子不整が小さく、かつバンドギャップエネルギーの小さい、歪みを有する半導体層を備えた半導体デバイスを提供すること。 【解決手段】 n型GaAs基板1上に、n型下側クラッド層2、アンドープ下側ガイド層兼障壁層3、アンドープTlGaAs量子井戸層4、アンドープ上側ガイド層兼障壁層5、p型上側クラッド層6、及びp型コンタクト層7を順次配置した。 |
| 公开日期 | 2007-03-28 |
| 申请日期 | 1996-10-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42150]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梶川 靖友,川津 善平. 半導体デバイス. JP3898786B2. 2007-01-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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