偏波変調可能な半導体レーザアレイ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 内田 護 |
| 发表日期 | 2004-03-19 |
| 专利号 | JP3535669B2 |
| 著作权人 | キヤノン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 偏波変調可能な半導体レーザアレイ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】実質的に独立に最適化され得る2つの半導体レーザアレイ構造を用いて構成され、偏波変調動作範囲の広い偏波変調半導体レーザアレイである。 【解決手段】2個の異なる半導体レーザアレイ構造1、2を導波方向に直列に配置した複合共振器型半導体レーザアレイである。複数の半導体レーザ構造から成る一方の半導体レーザアレイ構造1が、一方の偏波モードの利得が優位な共通の活性領域及びDFB共振器又はDBR共振器を有する。複数の半導体レーザ構造から成る他方の半導体レーザアレイ構造2が、他方の偏波モードの利得が優位な共通の活性領域及びDFB共振器又はDBR共振器又はファブリペロ型共振器を有する。DFB反射器或はDBR反射器のブラッグ波長が半導体レーザアレイ構造の利得スペクトルのピーク波長近傍に設定してある。 |
| 公开日期 | 2004-06-07 |
| 申请日期 | 1996-08-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42156]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | キヤノン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内田 護. 偏波変調可能な半導体レーザアレイ及びその製造方法. JP3535669B2. 2004-03-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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