半導体層の結晶成長方法
文献类型：专利
| 作者 | 小倉 基次; 萬濃 正也 |
| 发表日期 | 1997-10-03 |
| 专利号 | JP2702889B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体層の結晶成長方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 結晶品質の高い半導体層を成長させる方法を提供する。 【構成】 成長室1のサセプタ2上に基板3をセットし、基板を500℃に加熱する。水素ボンベ5、DMZnボンベ6、DMSeボンベ7、DMSボンベ8、Cp2Mgボンベ9から流量制御計10〜15を用いて適切な混合比率に調節された原料ガスを成長室1へ導入する。流量制御計15及び17を調節し、成長室内の圧力を5kg/cm2に保ちながら原料ガスを基板近傍で分解させ、Zn0.9Mg0.1S0.1Se0.9を基板3上にエピタキシャル成長させる。 |
| 公开日期 | 1998-01-26 |
| 申请日期 | 1994-12-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42163]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小倉 基次,萬濃 正也. 半導体層の結晶成長方法. JP2702889B2. 1997-10-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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