半導体結晶構造体、半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大塚 信之; 鬼頭 雅弘; 石野 正人; 松井 康 |
| 发表日期 | 2003-11-28 |
| 专利号 | JP3497290B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体結晶構造体、半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 緩和振動周波数が高く、高出力の半導体レーザを提供する。 【構成】 SnドープInP基板1上に成長したInGaAsP導波路層2、厚み6nmのInGaAsP歪井戸層3、厚み10nmのInGaAsPバリア層4、井戸層数10の歪多重量子井戸5、InGaAsP導波路層6、InP電流狭搾層7で構成する。歪多重量子井戸の結晶成長は650℃以上で行う。これにより、歪多重量子井戸5はオーダリングをおこさず、井戸層3に大きな歪を導入することができるため、緩和振動周波数が高く、高出力の半導体レーザを実現できる。 |
| 公开日期 | 2004-02-16 |
| 申请日期 | 1995-08-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42171]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大塚 信之,鬼頭 雅弘,石野 正人,等. 半導体結晶構造体、半導体レーザおよびその製造方法. JP3497290B2. 2003-11-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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