受光素子付き面発光型半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 本橋 健次; 古山 英人; 櫛部 光弘; 高岡 圭児 |
| 发表日期 | 2000-08-18 |
| 专利号 | JP3099921B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 受光素子付き面発光型半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】レーザ光出力を正確にモニタできる受光素子付き面発光型半導体レーザ装置を提供すること。 【構成】n型InP半導体基板2上に形成されたn型半導体多層膜反射鏡3と、このn型半導体多層膜反射鏡3に形成された活性層6と、この活性層6上に形成されたp型半導体多層膜反射鏡9と、このp型半導体多層膜反射鏡9に活性層6と同心的に形成されると共に、中心部に活性層6の幅より狭い開口部を有し、且つ活性層6の出射光のうち2次以上の共振モードの自然放出光が入射されない幅を有すPINフォトダイオード24とを備えている。 |
| 公开日期 | 2000-10-16 |
| 申请日期 | 1992-09-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42202]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 本橋 健次,古山 英人,櫛部 光弘,等. 受光素子付き面発光型半導体レーザ装置. JP3099921B2. 2000-08-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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