光結合装置およびその製造方法
文献类型:专利
作者 | 澤田 簾士; 大口 脩; 嶋田 純一; 鍔本 美恵子 |
发表日期 | 2001-06-08 |
专利号 | JP3197758B2 |
著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 光結合装置およびその製造方法 |
英文摘要 | 【目的】半導体光素子と光導波路との接続効率が良く、半導体光素子の損傷、劣化が少なく、耐熱性のある新規な光導波路を構成することにより半導体光素子と光導波路とを同一基板上に一体に作製することが可能な構造の高性能で耐久性に優れた光結合装置およびその製造方法を提供する【構成】半導体レーザ基板と、該半導体レーザ基板上に、フッ素含有量がそれぞれ異なるフッ素化ポリイミドよりなる下部クラッド層、コア層および上部クラツド層を積層した三層構造の光導波路を一体に構成した光結合装置。 【効果】電極パッド以外の半導体光素子端面がフッ素化ポリイミドで覆われているので、端面に塵埃とか水滴が付着することがなく耐久性が向上する。コア層とクラッド層の屈折率差Δnが小さくできるためコア層を厚くすることができ、半導体レーザの活性層との高さの調整が容易となり、光接続効率が大幅に向上する。 |
公开日期 | 2001-08-13 |
申请日期 | 1994-09-13 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42205] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 澤田 簾士,大口 脩,嶋田 純一,等. 光結合装置およびその製造方法. JP3197758B2. 2001-06-08. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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