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光結合装置およびその製造方法

文献类型:专利

作者澤田 簾士; 大口 脩; 嶋田 純一; 鍔本 美恵子
发表日期2001-06-08
专利号JP3197758B2
著作权人日本電信電話株式会社
国家日本
文献子类授权发明
其他题名光結合装置およびその製造方法
英文摘要【目的】半導体光素子と光導波路との接続効率が良く、半導体光素子の損傷、劣化が少なく、耐熱性のある新規な光導波路を構成することにより半導体光素子と光導波路とを同一基板上に一体に作製することが可能な構造の高性能で耐久性に優れた光結合装置およびその製造方法を提供する【構成】半導体レーザ基板と、該半導体レーザ基板上に、フッ素含有量がそれぞれ異なるフッ素化ポリイミドよりなる下部クラッド層、コア層および上部クラツド層を積層した三層構造の光導波路を一体に構成した光結合装置。 【効果】電極パッド以外の半導体光素子端面がフッ素化ポリイミドで覆われているので、端面に塵埃とか水滴が付着することがなく耐久性が向上する。コア層とクラッド層の屈折率差Δnが小さくできるためコア層を厚くすることができ、半導体レーザの活性層との高さの調整が容易となり、光接続効率が大幅に向上する。
公开日期2001-08-13
申请日期1994-09-13
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42205]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日本電信電話株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
澤田 簾士,大口 脩,嶋田 純一,等. 光結合装置およびその製造方法. JP3197758B2. 2001-06-08.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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