プレーナ電極型半導体光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山田 光志; 村井 仁; 国井 達夫 |
| 发表日期 | 2005-07-08 |
| 专利号 | JP3695812B2 |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | プレーナ電極型半導体光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 両クラッド層間を介する寄生容量と電極間容量の小いプレーナ電極型半導光素子を提供する。 【解決手段】 InP基板10上にn-InPクラッド層20,n--InGaAsP層22,n側電極48の層まで形成後、電極48をマスクして残りの領域を第2の上面24bまでエッチングして段差を作る。次に下段面(第2の上面24b)上にInGaAsP層(活性層)26a,26b,P-InPクラッド層28a,28b,P+-InGaAsP層30a,30bを形成し、第1、第2の絶縁層42,44を埋め込むトレンチをエッチングで作り、絶縁層を埋め込んだ後、パッシベーション層46a,46b,P側電極50を形成する。 【効果】 第1、第2の絶縁層が同時に形成されマスク合わせが不要で、また第1絶縁層を介する両クラッド層間の間隔長が長いため、ストライプ幅が一定で、寄生容量や電極間容量の小さな半導体光素子が得られる。 |
| 公开日期 | 2005-09-14 |
| 申请日期 | 1995-12-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42225]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 光志,村井 仁,国井 達夫. プレーナ電極型半導体光素子及びその製造方法. JP3695812B2. 2005-07-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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