半導体レーザとその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 鈴木 尚文 |
| 发表日期 | 1998-02-20 |
| 专利号 | JP2748877B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザとその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 屈折率が連続的に変化されるInAsPまたはInGaAsP光閉じ込め層を有する半導体レーザを容易に作製可能とする。 【構成】 半導体基板1上にInPクラッド層2を形成し、その上にV族組成または III族組成の原料の流量を徐々に変化させながらInAsP光閉じ込め層3を成長し、その上にInGaAsP活性層4を成長し、その上にV族組成またはIII族組成の原料の流量を徐々に変化させながらInAsP光閉じ込め層5を成長し、その上にInPクラッド層6を形成する工程を含む。InAsP光閉じ込め層3,5は半導体基板1に対して格子整合しなくとも、格子整合している場合と同様に結晶性のよい光閉じ込め層が構成でき、低いしきい値電流と高いスロープ効率が得られる。 |
| 公开日期 | 1998-05-13 |
| 申请日期 | 1995-01-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42226]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 尚文. 半導体レーザとその製造方法. JP2748877B2. 1998-02-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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