HALBLEITERLASER VON EINGEBETTETEM STRUKTUR-TYP UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN.
文献类型：专利
| 作者 | FURUYAMA HIDETO; KUROBE ATSUSHI |
| 发表日期 | 1993-09-16 |
| 专利号 | DE3786934D1 |
| 著作权人 | TOSHIBA KAWASAKI KK |
| 国家 | 德国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | HALBLEITERLASER VON EINGEBETTETEM STRUKTUR-TYP UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN. |
| 英文摘要 | In an embedded type semiconductor laser, at least three layers of a first conduction type clad layer, a quantum well active layer which contains a first or second conduction type or a pn junction, and a second conduction type clad layer, are grown successively on a first conduction type substrate. A high concentration impurity doped layer is provided excluding a predetermined striped region, situated adjacent to the active layer. An impurity diffusion is carried out by heat treatment which diffuses dopant from the high concentration impurity doped layer to the active layer. |
| 公开日期 | 1993-09-16 |
| 申请日期 | 1987-01-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42249]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA KAWASAKI KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | FURUYAMA HIDETO,KUROBE ATSUSHI. HALBLEITERLASER VON EINGEBETTETEM STRUKTUR-TYP UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN.. DE3786934D1. 1993-09-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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