LiGaO2 単結晶体,単結晶基板,およびそれらの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 石井 隆生; 宮澤 信太郎; 田雑 康夫 |
| 发表日期 | 2004-04-30 |
| 专利号 | JP3549719B2 |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | LiGaO2 単結晶体,単結晶基板,およびそれらの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 ガリウム酸リチウム単結晶基板に、転移密度が低減された窒化ガリウム系半導体エピタキシャル薄膜を、均一に形成できるようにする。 【解決手段】 引き上げ条件をb軸及びa軸方向の所定の振れ角の範囲において、単分域のガリウム酸リチウム単結晶104a,104bが育成する。 |
| 公开日期 | 2004-08-04 |
| 申请日期 | 1998-01-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42254]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石井 隆生,宮澤 信太郎,田雑 康夫. LiGaO2 単結晶体,単結晶基板,およびそれらの製造方法. JP3549719B2. 2004-04-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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