半導体レーザ装置およびその製造方法および光ディスク装置
文献类型：专利
| 作者 | 蛭川 秀一; 河西 秀典; 山本 圭 |
| 发表日期 | 2009-04-17 |
| 专利号 | JP4296017B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法および光ディスク装置 |
| 英文摘要 | 【課題】高出力駆動状態において信頼性が高く長寿命な半導体レーザ装置およびそれを用いた光ディスク装置を提供する。 【解決手段】発振波長が760nmより大きく800nmより小さい半導体レーザ装置であって、n型のGaAs基板101上に、n型の第1,第2下クラッド層103,104、下ガイド層105、GaAs下界面保護層106、InGaAsP多重歪量子井戸活性層107、GaAs上界面保護層108、上ガイド層109、p型の上クラッド層110を順次積層する。上記量子井戸活性層107と上ガイド層109との間および量子井戸活性層107と下ガイド層105との間の界面が急峻になるとともに、結晶のエピタキシー成長が良好になる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-07-15 |
| 申请日期 | 2003-03-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42259]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蛭川 秀一,河西 秀典,山本 圭. 半導体レーザ装置およびその製造方法および光ディスク装置. JP4296017B2. 2009-04-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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