AlGaInP系半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 菅 康夫; 高橋 向星; 細田 昌宏; 角田 篤勇; 谷 健太郎; 松井 完益 |
| 发表日期 | 1997-08-08 |
| 专利号 | JP2682906B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | AlGaInP系半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | PURPOSE:To enable an AlGaIn short wavelength semiconductor laser element to be lessened in operating voltage and enhanced in reliability. CONSTITUTION:A laminar structure comprising a first clad layer 103 of N-Al0.5 In0.5P, an active layer 104 of GaIn0.5P, a second clad layer 105 of P-Al0.5In0.5P, and a P-GaAs contact layer 107 is formed on an N-GaAs substrate 100. A P-(AlxGa1-x)0.5In0.5P(x=0 0.0) intermediate layer 106 is provided between the second clad layer 105 and the contact layer 107. As Al contained in the intermediate layer 106 is made to change from 0 to 0.0 in composition ratio x, potential barriers are lessened in height at the interfaces between the intermediate layer 106 and both the second clad layer 105 and the contact layer 107. |
| 公开日期 | 1997-11-26 |
| 申请日期 | 1991-05-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42268]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 菅 康夫,高橋 向星,細田 昌宏,等. AlGaInP系半導体レーザ素子. JP2682906B2. 1997-08-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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