V溝構造を有する半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 下山 謙司; 長尾 哲; 清見 和正; 後藤 秀樹 |
| 发表日期 | 2003-07-04 |
| 专利号 | JP3446344B2 |
| 著作权人 | 三菱化学株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | V溝構造を有する半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 品質のよい量子細線を、容易に得られる構造を提供する。 【構成】 屈折率のより大きい第1光ガイド層を屈折率のより小さい第1及び第2クラッド層で上下に挟み込んだダブルヘテロ構造を半導体基板上にエピタキシャル成長させ、該ダブルヘテロ構造のエピタキシャル成長層の少なくとも一部に断面がV字になる溝を有し、該V字になる溝の底の部分に活性層が設けられ、かつ該活性層の左右が該光ガイド層に接しており、該活性層の上部に該活性層よりも屈折率の小さい第3クラッド層を設けることにより、該活性層がV溝内に埋め込まれた構造を有する半導体装置。 |
| 公开日期 | 2003-09-16 |
| 申请日期 | 1994-10-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42287]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 下山 謙司,長尾 哲,清見 和正,等. V溝構造を有する半導体発光装置. JP3446344B2. 2003-07-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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