光半導体装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小林 二三彦; 宮澤 丈夫; 森 英史 |
| 发表日期 | 2001-12-07 |
| 专利号 | JP3256772B2 |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光半導体装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 異なる方向からなる導波路から構成されていても、平坦に埋め込まれたBH構造とすることを目的とする。 【構成】 電極接続層5上に、酸化シリコンからなる選択成長マスク13を形成し、これをマスクとして、電極接続層5,オーバークラッド層4,活性層3,バッファ層2および基板1の一部を選択的にエッチングする。ただし、ここで、この発明においては、ダミー部16を残すようにエッチングし、かつ溝14は溝15よりその幅が広くなるように形成する。 |
| 公开日期 | 2002-02-12 |
| 申请日期 | 1994-12-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42321]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林 二三彦,宮澤 丈夫,森 英史. 光半導体装置およびその製造方法. JP3256772B2. 2001-12-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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