Semiconductor device for control of a signal light
文献类型：专利
| 作者 | KOMATSU, KEIRO |
| 发表日期 | 1995-01-10 |
| 专利号 | US5381023 |
| 著作权人 | NEC CORPORATION |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Semiconductor device for control of a signal light |
| 英文摘要 | In a ridge type or buried hetero type waveguide structure, a semiconductor layer functioning as one selected from a guiding layer, an absorption layer and an active layer includes InGaAsP mixed crystal, and semiconductor cladding layers include InGaAsP mixed crystal having a bandgap energy larger than that of the InGaAsP crystal layer included in the semiconductor layer functioning as one selected therefrom. |
| 公开日期 | 1995-01-10 |
| 申请日期 | 1993-08-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42337]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KOMATSU, KEIRO. Semiconductor device for control of a signal light. US5381023. 1995-01-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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