量子井戸半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 伊賀 健一; 羽鳥 伸明; 小山 二三夫 |
| 发表日期 | 2001-03-23 |
| 专利号 | JP3170601B2 |
| 著作权人 | 東京工業大学長 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 量子井戸半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 Beのような従来不純物として用いられる元素を変調ドープ層に新たにドープすることなく、量子井戸半導体レーザ装置のしきい値を低減させる。 【解決手段】 量子井戸半導体レーザ装置は、n-GaAs基板1と、n-Al0.5 Ga0.5 Asクラッド層2と、変調ドープ多重量子井戸部3と、p-Al0.5 Ga0.5 Asクラッド層4と、p+ -GaAsキャップ層5と、SiO2 絶縁層6と、Au/Zn/Au電極7と、AuGe/Ni/Au電極8とを具える。変調ドープ多重量子井戸部3は、第1及び第2のAl0.2 Ga0.8 As光·キャリア閉じ込め層9及び10と、これらの間に交互に設けられたIn0.2 Ga0.8As量子井戸層11,12,13及びCがドープされたp型AlAs変調ドープ層14,15,16,17を含むGaAs障壁層18,19,20,21とを具える。 |
| 公开日期 | 2001-05-28 |
| 申请日期 | 1997-06-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42347]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 東京工業大学長 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊賀 健一,羽鳥 伸明,小山 二三夫. 量子井戸半導体レーザ装置及びその製造方法. JP3170601B2. 2001-03-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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