Semiconductive grey tin
文献类型：专利
| 作者 | GOODMAN COLIN HOWARD LUDLOW |
| 发表日期 | 1984-06-28 |
| 专利号 | DE3163756D1 |
| 著作权人 | INTERNATIONAL STANDARD ELECTRIC CORPORATION |
| 国家 | 德国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Semiconductive grey tin |
| 英文摘要 | Epitaxial thin layers of alpha -tin are grown by vapor phase epitaxy upon lattice-matched substrates of InSb or CdTe by the thermal decomposition of stannane. By using substrates of smaller lattice constant it is possible to modify the process to deposit alpha -tin germanium alloys. |
| 公开日期 | 1984-06-28 |
| 申请日期 | 1981-08-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42354]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | INTERNATIONAL STANDARD ELECTRIC CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | GOODMAN COLIN HOWARD LUDLOW. Semiconductive grey tin. DE3163756D1. 1984-06-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。