半導体発光装置とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 玉村 好司; 河角 孝行; 平田 照二 |
| 发表日期 | 2006-06-23 |
| 专利号 | JP3817806B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光装置とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 動作電流等の静特性に優れた、長寿命の半導体発光装置とその製造方法を提供するものである。 【解決手段】 n型GaAs基板1上に0.3μm厚のn型GaAsバッファ層2と、1μm厚のn型AlGaInPクラッド層3と、GaInP/AlGaInPMQW構造の活性層4を順次成長させる。つぎに、活性層4の上にV/III比を下げた50nm厚のキャリア拡散抑制層9を成長させ、その上に1μm厚のp型AlGaInPクラッド層5と、0.1μm厚のp型GaInP層6と、0.3μm厚のp型GaAs電流キャップ層7を順次成長させる。その後、p型AlGaInPクラッド層5とp型GaInP層6およびp型GaAs電流キャップ層7を選択的にエッチングしてメサ構造を形成し、その後、n型GaAs電流ブロック層8をメサ構造の両側に成長させて積層し、半導体発光装置100を形成する。 |
| 公开日期 | 2006-09-06 |
| 申请日期 | 1997-01-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42368]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 玉村 好司,河角 孝行,平田 照二. 半導体発光装置とその製造方法. JP3817806B2. 2006-06-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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