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長波長帯面発光半導体レーザ

文献类型:专利

作者大磯 義孝; 小濱 剛孝; 田所 貴志; 黒川 隆志
发表日期2000-10-27
专利号JP3123030B2
著作权人日本電信電話株式会社
国家日本
文献子类授权发明
其他题名長波長帯面発光半導体レーザ
英文摘要【目的】 InPと格子定数の異なるIII -V族半導体で構成した長波長帯面発光半導体レーザを提供することにある。 【構成】 本発明は、バッファ層と格子整合するIII -V族半導体により面発光半導体レーザ構造を構成することを特徴とする。
公开日期2001-01-09
申请日期1992-10-19
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42375]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日本電信電話株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
大磯 義孝,小濱 剛孝,田所 貴志,等. 長波長帯面発光半導体レーザ. JP3123030B2. 2000-10-27.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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