化合物半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 吉田 伊知朗 |
| 发表日期 | 1998-08-07 |
| 专利号 | JP2812000B2 |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 化合物半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | PURPOSE:To improve a visible-ray semiconductor laser element. CONSTITUTION:A visible-ray semiconductor laser element has a structure where an active layer is sandwiched between an n-type clad layer and a p-type clad layer which contains aluminum, gallium, indium and phosphorus. At the laser element, the p-type clad layer is constituted of an inner clad part close to the active layer and of an outer clad layer which is situated on the side distant from the active layer and whose band gap is small as compared with that of the inner clad part. The thickness and the composition of the inner clad part are formed in such a way that light can be leaked substantially to the outer clad part from the active layer. |
| 公开日期 | 1998-10-15 |
| 申请日期 | 1991-06-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42401]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉田 伊知朗. 化合物半導体レーザ素子. JP2812000B2. 1998-08-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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