高效大功率大光腔半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 沈光地; 殷涛; 廉鹏; 陈建新; 邹德恕; 高国; 陈良惠; 王启明; 杜金玉; 韩金茹 |
| 发表日期 | 2003-06-04 |
| 专利号 | CN1110877C |
| 著作权人 | 北京工业大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 高效大功率大光腔半导体激光器 |
| 英文摘要 | 一种高效大功率大光腔半导体激光器，属于半导体光电子技术领域，其特征是，采用了由多个重复排列的单元发光区及位于每相邻两单元发光区之间的P+-N+隧道二极管所构成的多级耦合整体大光腔式发光区结构，通过各单元发光区间的隧道二极管为前级复合掉的电子和空穴提供再生通道，从而多倍地提高器件的量子效率和输出功率。本发明可提供高效大功率、具有窄发散角的半导体激光，广泛用于光通讯、光泵浦、光读写、激光医疗、激光雷达等领域。 |
| 公开日期 | 2003-06-04 |
| 申请日期 | 1999-01-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42417]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 沈光地,殷涛,廉鹏,等. 高效大功率大光腔半导体激光器. CN1110877C. 2003-06-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。