应变平衡有源区梯度势阱层半导体激光器结构
文献类型：专利
| 作者 | 许并社; 董海亮; 马淑芳; 梁建; 贾虎生; 刘旭光 |
| 发表日期 | 2015-06-03 |
| 专利号 | CN204376193U |
| 著作权人 | 太原理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 应变平衡有源区梯度势阱层半导体激光器结构 |
| 英文摘要 | 本实用新型属于半导体光电子学技术领域，具体公开了一种应变平衡有源区梯度势阱层半导体激光器结构，该结构包括采用金属有机化学气相沉积方法在衬底上至下而上依次外延生长的缓冲层、下匹配层、下限制层、下过渡层、下波导层、多量子阱层、上波导层、上过渡层、上限制层、上匹配层和电极接触层。本实用新型是在改善多量子阱层的势垒层和势阱层材料突变异质界面质量、降低晶格常数应变失配率过大，减少量子阱有源区总的累积应变失配率，避免量子阱异质界面发生晶格弛豫现象，从而对降低激光器的阈值电流、增大输出功率，提高光电转换效率以及延长寿命可靠性等进行改进，得到的新型结构材料体系的半导体激光器。 |
| 公开日期 | 2015-06-03 |
| 申请日期 | 2015-02-14 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42436]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 太原理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 许并社,董海亮,马淑芳,等. 应变平衡有源区梯度势阱层半导体激光器结构. CN204376193U. 2015-06-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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