具有非完全粘接区域的半导体激光装置和电子设备
文献类型：专利
| 作者 | 国政文枝 |
| 发表日期 | 2009-12-02 |
| 专利号 | CN100566053C |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 具有非完全粘接区域的半导体激光装置和电子设备 |
| 英文摘要 | 本发明涉及半导体激光装置和电子设备。提供一种能够减小半导体激光元件产生的应力而实现长寿命化的半导体激光装置。根据该半导体激光装置，焊料层(114)不存在于第一区域(R1)，该第一区域(R1)是从发光区域(150)的中心线(J1)到朝向正交方向X的两侧离开规定尺寸(L1)处的区域。即，发光区域(150)所存在的第一区域(R1)成为半导体激光元件(100)的焊料层(114)与散热器(200)的非完全粘接区域。因此，能够减小工作时由于半导体激光元件(100)、焊料层(114)和散热器(200)的热膨胀系数的不同而施加给发光区域(150)的应力。 |
| 公开日期 | 2009-12-02 |
| 申请日期 | 2007-10-08 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42440]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 国政文枝. 具有非完全粘接区域的半导体激光装置和电子设备. CN100566053C. 2009-12-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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