半导体激光器温度特性参数即升即测测试装置及方法
文献类型：专利
| 作者 | 马建立; 钟景昌; 郝永芹; 赵英杰; 史全林; 李海军 |
| 发表日期 | 2009-09-30 |
| 专利号 | CN100545665C |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光器温度特性参数即升即测测试装置及方法 |
| 英文摘要 | 半导体激光器温度特性参数即升即测测试装置及方法属于激光器性能测试技术领域。已知技术之装置存在的不足主要是结构复杂。而其测试方法存在的不足是，在测试半导体激光器的温度特性时，需要对温度实施控制。本发明之装置仅由保温箱、导热媒质、加热器、待测器件、探测部件以及温度传感器组成。本发明之方法为，加热器开始持续加热，导热媒质自由升温并给半导体激光器加热，温度传感器随时检测半导体激光器的温度，探测部件时刻探测半导体激光器的温度特性，直到完成在整个温度变化范围内的测试，加热器停止加热，检测过程进入自由降温阶段，在测试过程中，在每一时刻，都取得一组温度——特性参数数据对。本发明可应用于半导体激光器教学、研究和制造领域。 |
| 公开日期 | 2009-09-30 |
| 申请日期 | 2006-08-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42511]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马建立,钟景昌,郝永芹,等. 半导体激光器温度特性参数即升即测测试装置及方法. CN100545665C. 2009-09-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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