選擇區域濕氣化面射型雷射之製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 施宏輝; 施天從; 何文章 |
| 发表日期 | 2001-07-21 |
| 专利号 | TW447186B |
| 著作权人 | 中華電信股份有限公司電信研究所 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 選擇區域濕氣化面射型雷射之製造方法 |
| 英文摘要 | 一種選擇區域濕氧化(Selective Area Wet Oxidation,SAWO)面射型雷射(VCSEL)之製造方法，係在一基底上至少具有主動層、P型及N型分佈式布拉格反射鏡的面射型雷射，以一電漿法蝕刻控制分佈式布拉格反射鏡高台深度至欲進行濕氧化上晶膜層，再以一電漿法沉積高品質介電層於高台周圍，隨後以一電漿法蝕刻控制高台深度至欲進行濕氧化下晶膜層，以進行濕氧化製程、表面隔離、P型及N型金屬蒸鍍，進而完成選擇區域濕氧化面射型雷射製程。 |
| 公开日期 | 2001-07-21 |
| 申请日期 | 2000-06-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42520]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中華電信股份有限公司電信研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 施宏輝,施天從,何文章. 選擇區域濕氣化面射型雷射之製造方法. TW447186B. 2001-07-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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