双波长半导体激光装置及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 粂雅博; 高山彻; 高须贺祥一; 木户口勋 |
| 发表日期 | 2011-11-16 |
| 专利号 | CN101394065B |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 双波长半导体激光装置及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种双波长半导体激光装置及其制造方法，其可以抑制由掺杂剂的扩散引起的不良状况的产生。本发明的双波长半导体激光装置，在化合物半导体构成的基板(10)上，堆积第1半导体激光元件(1)和第2半导体激光元件(2)，将所述第1半导体激光元件(1)的蚀刻阻止层(15)的构成材料用和第2半导体激光元件(2)的蚀刻阻止层(25)的构成材料相比杂质不易扩散的材料。 |
| 公开日期 | 2011-11-16 |
| 申请日期 | 2008-09-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42581]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 粂雅博,高山彻,高须贺祥一,等. 双波长半导体激光装置及其制造方法. CN101394065B. 2011-11-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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