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半导体激光器装置及其制造方法

文献类型:专利

作者久义浩; 田中秀幸; 八代正和; 幸长则善
发表日期2013-07-24
专利号CN102214894B
著作权人三菱电机株式会社
国家中国
文献子类授权发明
其他题名半导体激光器装置及其制造方法
英文摘要本发明的目的在于得到能够低价且简单地制造的在高温特性方面优良的半导体激光器装置及其制造方法。利用模塑树脂(2)将导线(3)固定在框架(1)上。利用焊料(4)将副固定件(5)接合在框架(1)上,利用焊料(6)将半导体激光器芯片(7)接合在副固定件(5)上。这样,利用焊料(4)将框架(1)和副固定件(5)连接,所以能够改善散热性。并且,采用耐热温度比焊料(4、6)的熔点高的模塑树脂(2)。因此,将装载的框架(1)、副固定件(5)及半导体激光器芯片(7)加热,使焊料(4、6)熔融,能够使框架(1)、副固定件(5)及半导体激光器芯片(7)彼此同时接合。
公开日期2013-07-24
申请日期2011-04-02
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42587]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三菱电机株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
久义浩,田中秀幸,八代正和,等. 半导体激光器装置及其制造方法. CN102214894B. 2013-07-24.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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