氮化物半导体激光器及晶片
文献类型：专利
| 作者 | 谷健太郎; 谷善彦; 川上俊之 |
| 发表日期 | 2013-01-16 |
| 专利号 | CN101938085B |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化物半导体激光器及晶片 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体激光器及晶片。该氮化物半导体激光器的电容减小以具有更好的响应。氮化物半导体激光器包括有源层；上覆层，层叠在有源层之上；低介电常数绝缘膜，层叠在该上覆层之上；以及焊垫电极，层叠在该低介电常数绝缘膜之上。 |
| 公开日期 | 2013-01-16 |
| 申请日期 | 2010-06-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42613]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谷健太郎,谷善彦,川上俊之. 氮化物半导体激光器及晶片. CN101938085B. 2013-01-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。