单片半导体激光器的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 笠井信之 |
| 发表日期 | 2012-08-08 |
| 专利号 | CN101409425B |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 单片半导体激光器的制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供能够抑制激光器特性的偏差并提高可靠性的单片半导体激光器的制造方法。形成元件间隔离的第一、第二半导体激光器(19)、(29)。第二半导体激光器(29)的第四上覆盖层(26)和第二接触层(27)相加的膜厚X比第一半导体激光器(19)的第二上覆盖层(16)和第一接触层(17)相加的膜厚Y薄。利用将抗蚀剂(31)作为掩模的干法刻蚀，同时在第一、第二半导体激光器(19)、(29)上形成第一、第二脊(32)、(33)，在第二刻蚀停止层(25)在第二脊(33)的侧面的部分露出的时刻停止干法刻蚀。利用将抗蚀剂(31)作为掩模的湿法刻蚀，选择性地除去在第一脊(32)的侧面的部分在残留所述第一刻蚀停止层(15)上的第二上覆盖层(16)。 |
| 公开日期 | 2012-08-08 |
| 申请日期 | 2008-06-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42619]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 笠井信之. 单片半导体激光器的制造方法. CN101409425B. 2012-08-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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