激光二极管列阵的封装结构
文献类型：专利
| 作者 | 方高瞻; 刘志刚 |
| 发表日期 | 2008-12-24 |
| 专利号 | CN201171142Y |
| 著作权人 | 北京吉泰基业科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 激光二极管列阵的封装结构 |
| 英文摘要 | 本实用新型提供了一种激光二极管列阵的封装结构，包括电隔离层、半导体芯片、正极热沉和负极，其中半导体芯片的正极面和正极热沉连接在一起，负极面和负极连接在一起；电隔离层正面的金属化层被划分为正极区和负极区，所述正极热沉连接在电隔离层正面的正极区，负极连接在电隔离层正面的负极区。通过这样的封装结构，就在多级激光二极管列阵进行串联时，使多级半导体芯片的正极同时分布在一侧，而负极分布于另一侧，从而使得所有的发光区位于同一条线上，易于对多级输出光进行统一的光变换，简化了操作程度。 |
| 公开日期 | 2008-12-24 |
| 申请日期 | 2008-01-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42633]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京吉泰基业科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 方高瞻,刘志刚. 激光二极管列阵的封装结构. CN201171142Y. 2008-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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