集成型半导体光元件
文献类型：专利
| 作者 | 大和屋武; 绵谷力 |
| 发表日期 | 2010-11-17 |
| 专利号 | CN101453100B |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 集成型半导体光元件 |
| 英文摘要 | 本发明获得一种能够保持良好的表面形态并同时能降低接触电阻的集成型半导体光元件。其中，半导体激光器(1)(第一半导体光元件)和光调制器(2)(第二半导体光元件)集成在同一n型InP基板(3)(InP基板)上。半导体激光器(1)和光调制器(2)对接接合。半导体激光器(1)和光调制器(2)具有掺杂了Be的p型InGaAs接触层(14)。p型InGaAs接触层(14)的Be掺杂浓度是7×1018cm-3以上，厚度比300nm薄。 |
| 公开日期 | 2010-11-17 |
| 申请日期 | 2008-09-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42642]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大和屋武,绵谷力. 集成型半导体光元件. CN101453100B. 2010-11-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。