半导体激光二极管的辅助装配座及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 郭准燮; 蔡秀熙; 成演准 |
| 发表日期 | 2009-03-11 |
| 专利号 | CN100468893C |
| 著作权人 | 三星电子株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光二极管的辅助装配座及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体激光二极管的辅助装配座及其制造方法，该辅助装配座倒装焊接到一个具有阶梯状第一和第二电极的半导体激光二极管芯片上。该辅助装配座包括：一个具有第一和第二表面的衬底，所述第一和第二表面隔开与所述第一和第二电极之间的高度差相当的阶跃高度；第一和第二金属层，分别形成于所述第一和第二表面上且厚度相同；以及第一和第二焊料层，分别形成于所述第一和第二金属层上且厚度相同，并且分别焊接到所述第一和第二电极上。通过一个工序同时形成厚度相同的两焊料层，由此具有相同的化学成分比，提供几乎相同的熔融特性；可通过辅助装配座有效地排放出在半导体激光二极管芯片工作期间产生的热量。 |
| 公开日期 | 2009-03-11 |
| 申请日期 | 2003-12-09 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42653]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三星电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭准燮,蔡秀熙,成演准. 半导体激光二极管的辅助装配座及其制造方法. CN100468893C. 2009-03-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。