面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置
文献类型：专利
| 作者 | 乙間 広己; 櫻井 淳; 石井 亮次 |
| 发表日期 | 2013-06-07 |
| 专利号 | JP5282673B2 |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】基本横モードを維持しつつ偏光制御を安定化させることができる面発光型半導体レーザを提供する。 【解決手段】VCSEL10は、n型GaAs基板100と、基板上に形成された下部メサM2と、下部メサM2上に形成された上部メサM1とを含む。上部メサM1には、p型の上部DBR106、p型の酸化制御層120、活性層104が含まれ、下部メサM2には、n型の下部DBR102、n型の酸化制御層130が含まれている。酸化制御層130は、酸化制御層120よりも活性層104に近く、酸化制御層130の酸化領域130Aの面積は、酸化制御層120の酸化領域120Aの面積よりも大きい。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2013-09-04 |
| 申请日期 | 2009-06-22 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42686]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 乙間 広己,櫻井 淳,石井 亮次. 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置. JP5282673B2. 2013-06-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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