一种用于氮化镓外延生长的复合衬底
文献类型：专利
| 作者 | 陆卫; 夏长生; 李志锋; 李宁 ; 张波; 王少伟; 陈平平; 陈效双; 陈明法
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| 发表日期 | 2007-01-31 |
| 专利号 | CN1298020C |
| 著作权人 | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种用于氮化镓外延生长的复合衬底 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种用于氮化镓外延生长的复合衬底，该衬底由单晶硅片、二氧化硅层和单晶硅薄膜单元构成的阵列层组成。单晶硅薄膜单元为正方形，边长由光刻技术所能达到的最小线宽决定，厚度为2～100nm，单元间隔小于或等于所要生长GaN外延层的厚度。本发明的优点是结构简单，成本低廉，便于大规模生产，可以生长面积大、厚度大、位错密度非常低的GaN外延层，可用于制造发光亮度高、电学性质优良的GaN基半导体发光二极管、半导体激光器及其它光电子器件。 |
| 公开日期 | 2007-01-31 |
| 申请日期 | 2004-12-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42716]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆卫,夏长生,李志锋,等. 一种用于氮化镓外延生长的复合衬底. CN1298020C. 2007-01-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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