用于制造半导体激光器的方法
文献类型：专利
| 作者 | 藤本强; 大桥希美; 仓本大; 仲山英次 |
| 发表日期 | 2012-04-11 |
| 专利号 | CN101752788B |
| 著作权人 | 索尼株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 用于制造半导体激光器的方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种用于制造半导体激光器的方法，所述方法包括以下步骤：形成具有与脊形条对应的条形掩模部分的掩模层，所述掩模层将形成在基于氮化物的III-V族化合物半导体层上；利用掩模层将基于氮化物的III-V族化合物半导体层蚀刻至预定深度以形成脊形条；形成抗蚀剂层以覆盖掩模层和基于氮化物的III-V族化合物半导体层；回蚀抗蚀剂层直到暴露掩模层的条形掩模部分为止；通过蚀刻来移除掩模层的暴露的掩模部分以暴露脊形条的上表面；在抗蚀剂层和暴露的脊形条上形成金属膜以在脊形条上形成电极；移除抗蚀剂层连同其上形成的金属膜；以及通过蚀刻来移除掩模层。 |
| 公开日期 | 2012-04-11 |
| 申请日期 | 2009-12-15 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42732]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤本强,大桥希美,仓本大,等. 用于制造半导体激光器的方法. CN101752788B. 2012-04-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。