用于半导体激光器后腔面的高反射率膜系的镀膜夹具
文献类型：专利
| 作者 | 吴惠桢; 黄占超; 劳燕锋; 沈勤我; 齐鸣; 封松林 |
| 发表日期 | 2006-07-19 |
| 专利号 | CN1265519C |
| 著作权人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 用于半导体激光器后腔面的高反射率膜系的镀膜夹具 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体激光器后腔面高反射率膜系结构及其腔面镀膜用夹具。其特征在于高反射率膜系由相位匹配的氧化物介质膜(1)、金属膜(2)和氧化物保护膜(3)组成。相位匹配氧化物介质膜和氧化物保护膜为Al2O3、TiO2、SiO2、ZrO2中的一种，相位匹配介质膜的厚度小于四分之一波长，金属膜为铝、金、银中的一种。激光器腔面镀膜所用夹具由三部分组成：叠放激光器解理条的基片为铁质圆片，可移动定位片为磁铁，以及夹持解理条的夹片。其特征在于用磁铁来固定夹片从而夹持解理条，夹片采用厚度与腔长相近的单晶硅解理片。本发明的膜系结构简单，成本低廉，使激光器的功率平均提高70％，阈值电流降低25％左右，镀膜夹具易于操作，适合于进行规模化生产。 |
| 公开日期 | 2006-07-19 |
| 申请日期 | 2003-09-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42813]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴惠桢,黄占超,劳燕锋,等. 用于半导体激光器后腔面的高反射率膜系的镀膜夹具. CN1265519C. 2006-07-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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