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可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置

文献类型:专利

作者佟存柱; 牛智川; 韩勤; 杜云; 吴荣汉
发表日期2006-05-03
专利号CN2777751Y
著作权人中国科学院半导体研究所
国家中国
文献子类实用新型
其他题名可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置
英文摘要本实用新型一种可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置,其特征在于,其组成包括:一承载舟,该承载舟为矩形槽体,在内部底面上刻有多个窄槽;一石英柄,该石英柄与承载舟的一窄侧端连接。本实用新型适用于砷化铝高精度氧化处理,可用于氧化限制型垂直腔面发射激光器的大规模生产。
公开日期2006-05-03
申请日期2004-12-02
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42846]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
佟存柱,牛智川,韩勤,等. 可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置. CN2777751Y. 2006-05-03.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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