可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置
文献类型:专利
作者 | 佟存柱; 牛智川; 韩勤; 杜云; 吴荣汉 |
发表日期 | 2006-05-03 |
专利号 | CN2777751Y |
著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 实用新型 |
其他题名 | 可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置 |
英文摘要 | 本实用新型一种可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置,其特征在于,其组成包括:一承载舟,该承载舟为矩形槽体,在内部底面上刻有多个窄槽;一石英柄,该石英柄与承载舟的一窄侧端连接。本实用新型适用于砷化铝高精度氧化处理,可用于氧化限制型垂直腔面发射激光器的大规模生产。 |
公开日期 | 2006-05-03 |
申请日期 | 2004-12-02 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42846] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 佟存柱,牛智川,韩勤,等. 可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置. CN2777751Y. 2006-05-03. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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