利用子基座条制造激光二极管单元的装置和方法
文献类型：专利
| 作者 | 岛泽幸司; 进藤修; 土屋芳弘; 伊藤靖浩; 酒井贤司 |
| 发表日期 | 2016-12-28 |
| 专利号 | CN103440874B |
| 著作权人 | TDK株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 利用子基座条制造激光二极管单元的装置和方法 |
| 英文摘要 | 本发明的激光二极管单元的制造方法包括步骤：将激光二极管置于形成子基座的安装面的焊料构件之上；将加压载荷施加于激光二极管，并将激光二极管压向焊料构件；接着，在所述焊料构件被施加加压载荷的同时，通过对焊料构件以高于焊料构件的熔点的温度进行加热，使焊料构件熔融，其后，通过冷却并焊料构件使其固化，将激光二极管接合于子基座，其后，解除加压载荷；以及在已经除去加压载荷之后，通过以低于焊料构件的熔点的温度对焊料构件进行加热，使固化了的焊料构件软化，其后，冷却焊料构件并使其再固化。 |
| 公开日期 | 2016-12-28 |
| 申请日期 | 2013-02-05 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42852]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TDK株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岛泽幸司,进藤修,土屋芳弘,等. 利用子基座条制造激光二极管单元的装置和方法. CN103440874B. 2016-12-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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