氮化物半导体发光器件
文献类型：专利
| 作者 | 花冈大介; 石田真也; 高谷邦启; 伊藤茂稔 |
| 发表日期 | 2009-01-21 |
| 专利号 | CN100454694C |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化物半导体发光器件 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种半导体发光器件，在所述半导体发光器件中，盖在放电下被压焊在底座的顶表面上，以形成封装。该封装包封热沉、氮化物半导体激光元件、电极插脚和导线，并在其内部密封有包含氧的气体作为密封气氛。至少盖的内表面镀有可以吸藏氢的金属Ni和Pd。 |
| 公开日期 | 2009-01-21 |
| 申请日期 | 2006-08-02 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42947]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 花冈大介,石田真也,高谷邦启,等. 氮化物半导体发光器件. CN100454694C. 2009-01-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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