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采用腔面光栅的波长稳定半导体激光器

文献类型:专利

作者王勇; 李占国; 孙琳; 于新雨; 尤明慧; 马炜; 王丽娟; 韩晓媚; 高占琦; 卢小香
发表日期2017-05-17
专利号CN104269738B
著作权人长春理工大学
国家中国
文献子类授权发明
其他题名采用腔面光栅的波长稳定半导体激光器
英文摘要采用腔面光栅的波长稳定半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有采用体布拉格光栅的外腔半导体激光器体积较大;现有采用内置布拉格光栅的分布反馈半导体激光器其制作需要进行芯片的二次外延生长,导致外延结构复杂,不可避免地造成污染和引进缺陷。本发明是一种边发射半导体激光器,激光器芯片外延结构的前腔面、后腔面均覆有增透膜,在后腔面增透膜上沉积有增反膜;所述增透膜为Si3N4膜;所述增反膜的膜系结构及材料为[Ge/SiO2]3Ge;在前腔面增透膜上沉积有一组平行条形增反膜,由前腔面增透膜和该组条形增反膜构成腔面光栅,腔面光栅方向与所述外延结构衬底方向垂直,腔面光栅占空比σ为0.2~0.3,所述条形增反膜的膜系结构及材料为[Ge/SiO2]3Ge。
公开日期2017-05-17
申请日期2014-10-11
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43049]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位长春理工大学
推荐引用方式
GB/T 7714
王勇,李占国,孙琳,等. 采用腔面光栅的波长稳定半导体激光器. CN104269738B. 2017-05-17.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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