模式同步半导体激光器装置和模式同步半导体激光器装置的波长控制方法
文献类型：专利
| 作者 | 荒平慎 |
| 发表日期 | 2008-12-31 |
| 专利号 | CN100448123C |
| 著作权人 | 冲电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 模式同步半导体激光器装置和模式同步半导体激光器装置的波长控制方法 |
| 英文摘要 | 一种模式同步半导体激光器装置和模式同步半导体激光器装置的波长控制方法，产生波长可变区的波长宽度充分宽、而且在光通信系统中以可利用程度抑制了频率斩波的光脉冲。该模式同步半导体激光器装置具有：包含MLLD(1)的光脉冲生成部(101)、CW光源(19)、第一光学耦合单元(110)、以及第二光学耦合单元(112)。在MLLD内形成包括光增益区(3)、光调制区(2)和无源波导区(4)的光波导路径(30)。恒定电流从第一电流源(11)通过p侧电极(9)和n侧公用电极(7)注入光增益区中。由电压源(12)将反偏压通过p侧电极(8)和n侧公用电极加在光调制区(2)上。由调制电压源(13)将MLLD具有的共振器旋转频率的自然数倍的频率的调制电压加在光调制区上。 |
| 公开日期 | 2008-12-31 |
| 申请日期 | 2005-07-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43066]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 冲电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 荒平慎. 模式同步半导体激光器装置和模式同步半导体激光器装置的波长控制方法. CN100448123C. 2008-12-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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