垂直腔面发射激光器及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 增井勇志; 荒木田孝博; 成瀬晃和; 幸田伦太郎; 城岸直辉 |
| 发表日期 | 2013-04-10 |
| 专利号 | CN101800398B |
| 著作权人 | 索尼公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 垂直腔面发射激光器及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种垂直腔面发射激光器及其制造方法，该垂直腔面发射激光器能够减小寄生电容同时抑制功耗。该垂直腔面发射激光器包括柱形台面，柱形台面在衬底上从衬底侧依次包括第一多层反射器、有源层、第二多层反射器，还包括电流窄化层。台面的包括有源层和电流窄化层的柱形部分形成在与第一多层反射器相对的区域和与第二多层反射器相对的区域内，且该柱形部分的截面面小于第二多层反射器的截面面积。 |
| 公开日期 | 2013-04-10 |
| 申请日期 | 2010-02-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43123]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 增井勇志,荒木田孝博,成瀬晃和,等. 垂直腔面发射激光器及其制造方法. CN101800398B. 2013-04-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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