Ⅲ族氮化物半导体激光器元件及Ⅲ族氮化物半导体激光器元件的制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 秋田胜史; 上野昌纪; 住友隆道; 德山慎司; 片山浩二; 中村孝夫 |
| 发表日期 | 2013-02-13 |
| 专利号 | CN101984774B |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Ⅲ族氮化物半导体激光器元件及Ⅲ族氮化物半导体激光器元件的制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其中，具有可在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第一及第二断裂面(27)、(29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有沿m-n面与半极性主面(17a)的交叉线方向延伸的激光波导。因此，可利用实现低阈值电流的能带跃迁的发光。在激光器结构体(13)中，第一面(13a)为第二面(13b)的相反侧的面。第一及第二断裂面(27)、(29)从第一面(13a)的边缘(13c)延伸至第二面(13b)的边缘(13d)。断裂面(27)、(29)不通过干蚀刻形成，与c面、m面或a面等现有的解理面不同。 |
| 公开日期 | 2013-02-13 |
| 申请日期 | 2009-07-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43146]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 善积祐介,盐谷阳平,京野孝史,等. Ⅲ族氮化物半导体激光器元件及Ⅲ族氮化物半导体激光器元件的制作方法. CN101984774B. 2013-02-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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