一种高亮度锥形半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 范国滨; 李弋; 杜维川; 李艾; 李奇峰; 高松信; 武德勇 |
| 发表日期 | 2015-04-22 |
| 专利号 | CN204290036U |
| 著作权人 | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种高亮度锥形半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本实用新型提供了一种高亮度锥形半导体激光器的技术方案，该方案包括有基底、脊形主震荡区、侧向周期波导限制结构、锥形增益放大区、前腔面和后腔面；前腔面设置在基底的一侧面；后腔面设置在前腔面对侧的基底侧面上；脊形主震荡区设置在靠近后腔面的基底中部；锥形增益放大区设置在靠近前腔面的基底上；锥形增益放大区与脊形主震荡区接连；脊形主震荡区两侧对称设置有至少一对侧向周期波导限制结构。该方案采用脊形主震荡区两侧对称设置有至少一对侧向周期波导限制结构，能够有效抑制高阶模，使脊形主震荡区在较大的脊条宽度和刻蚀深度下仍然保持基模输出，实现锥形半导体激光器的高亮度激光输出。 |
| 公开日期 | 2015-04-22 |
| 申请日期 | 2014-12-30 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43187]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 范国滨,李弋,杜维川,等. 一种高亮度锥形半导体激光器. CN204290036U. 2015-04-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。