本发明涉及一种倒像式像增强型超快成像探测器，克服了现有的双近贴结构中半导体芯片容易真空击穿的问题。该探测器包括外壳、输入窗口、输出窗口、光电阴极、第一静电聚焦电极、微通道板、第二静电聚焦电极和半导体探测芯片；外壳的两端分别设置有输入窗口以及输出窗口；输入窗口内表面镀有一层导电薄膜，光电阴极制作于导电薄膜上；半导体探测芯片紧贴输出窗口内表面设置；光电阴极与半导体探测芯片之间依次设置有第一静电聚焦电极、微通道板以及第二静电聚焦电极；第一静电聚焦电极和第二静电聚焦电极相同；微通道板的输入面和输出面加载工作电压。