130nm体硅反相器链的单粒子瞬态脉宽特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李赛; 陈睿; 韩建伟 |
| 刊名 | 北京航空航天大学学报
 |
| 出版日期 | 2019 |
| 卷号 | 45期号:6页码:1137-1144 |
| 关键词 | 单粒子瞬态(SET) 反相器 CMOS 工艺 重离子 脉冲激光 |
| ISSN号 | 1001-5965 |
| 其他题名 | Single-event-transient pulse width characteristics of 130 nm bulk silicon inverter chain |
| 英文摘要 | 针对130 nm 体硅反相器链,利用脉冲激光和重离子实验研究了目标电路单粒子瞬态(SET)的脉宽特性,并分析了电路被辐射诱发的SET 脉宽特性受激光能量、重离子线性能量传递(LET)值、PMOS 管栅长尺寸等因素的影响机制。重离子和脉冲激光实验结果类似,均表现为随激光能量、LET 值的增加,电路被辐射诱发的SET 脉宽逐步增大,且表现出明显的双(多)峰分布趋势,但辐射诱发的SET 脉冲个数呈先增加再减少规律。此外,实验结果表明,在不同激光能量、LET 值下,PMOS 管栅长尺寸影响反相器链SET 脉冲的特征不同。当激光能量、LET 值较低时,PMOS 管栅长尺寸大的电路产生的SET 脉宽较大,而当激光能量、LET 值较大时,PMOS 管栅长尺寸小的电路反而产生更宽的SET 脉冲。分析表明,较高激光能量、LET 辐照时,寄生双极放大效应被触发可能是导致PMOS 管栅长尺寸影响电路SET 特征差异的主要原因。 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.nssc.ac.cn/handle/122/7234]  |
| 专题 | 国家空间科学中心_空间技术部 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李赛,陈睿,韩建伟. 130nm体硅反相器链的单粒子瞬态脉宽特性研究[J]. 北京航空航天大学学报,2019,45(6):1137-1144. |
| APA | 李赛,陈睿,&韩建伟.(2019).130nm体硅反相器链的单粒子瞬态脉宽特性研究.北京航空航天大学学报,45(6),1137-1144. |
| MLA | 李赛,et al."130nm体硅反相器链的单粒子瞬态脉宽特性研究".北京航空航天大学学报 45.6(2019):1137-1144. |
入库方式： OAI收割
来源：国家空间科学中心
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