SiO2钝化层对GaN基PIN结构核探测器漏电流的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 袁愿林 ; 姚昌胜 ; 王果 ; 陆敏 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
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| 出版日期 | 2012-04-25 |
| 卷号 | 32期号:2 |
| 关键词 | 氮化镓 PIN 探测器 漏电流 钝化层 |
| 通讯作者 | 陆敏 |
| 英文摘要 | 成功地制备了有SiO2钝化层和无SiO2钝化层的GaN基PIN结构核辐射探测器,并对二者的I-V特性进行了测试。实验结果表明,SiO2钝化层的存在显著地降低了GaN基PIN结构核辐射探测器的反向漏电流,在-40V的反向偏压情况下,漏电流约有2个数量级的降低。实验过程中观测到随着反向偏压的增大,SiO2钝化层对器件反向漏电流的抑制效应更明显。建立了一种表面沟道模型解释了SiO2钝化层对漏电流的影响。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-01-22 |
| 源URL | [http://58.210.77.100/handle/332007/969]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米加工公共平台 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 袁愿林,姚昌胜,王果,等. SiO2钝化层对GaN基PIN结构核探测器漏电流的影响[J]. 固体电子学研究与进展,2012,32(2). |
| APA | 袁愿林,姚昌胜,王果,&陆敏.(2012).SiO2钝化层对GaN基PIN结构核探测器漏电流的影响.固体电子学研究与进展,32(2). |
| MLA | 袁愿林,et al."SiO2钝化层对GaN基PIN结构核探测器漏电流的影响".固体电子学研究与进展 32.2(2012). |
入库方式： OAI收割
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