ICP刻蚀GaN侧壁倾角以及刻蚀速率的控制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黄伟 ; 蔡勇; 张宝顺
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| 刊名 | 固体电子研究与进展
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| 出版日期 | 2012-06 |
| 卷号 | 32期号:3 |
| 关键词 | 电感耦合等离子体 刻蚀 氮化镓 侧壁倾角 射频功率 |
| 中文摘要 | 深入研究了Cl2基气体电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统对于GaN材料侧壁倾角的控制以及刻蚀速率的影响。通过调整ICP离子源功率、射频功率、气体流量、腔室压力等参数,经实验验证,实现了从23°～83°侧壁倾角的大范围工艺控制,为GaN基器件工艺提供了有益指导。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-01-22 |
| 源URL | [http://58.210.77.100/handle/332007/994]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米加工公共平台 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄伟,蔡勇,张宝顺. ICP刻蚀GaN侧壁倾角以及刻蚀速率的控制[J]. 固体电子研究与进展,2012,32(3). |
| APA | 黄伟,蔡勇,&张宝顺.(2012).ICP刻蚀GaN侧壁倾角以及刻蚀速率的控制.固体电子研究与进展,32(3). |
| MLA | 黄伟,et al."ICP刻蚀GaN侧壁倾角以及刻蚀速率的控制".固体电子研究与进展 32.3(2012). |
入库方式： OAI收割
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