Al组分AlGaN材料优化生长与组分研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 范亚明 ; 张宝顺
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| 刊名 | 光电子激光
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| 出版日期 | 2012-09-15 |
| 卷号 | 23期号:9 |
| 关键词 | AlGaN 金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD) 相分离 表面形貌 Al组分 |
| 中文摘要 | 研究了金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)系统外延高Al组分较厚AlGaN薄膜材料的生长技术。实验发现,AlGaN/GaN结构中的AlGaN材料的相分离现象可能是由于过低的生长V/III以及材料所受的张应力状态所致,而V/III过高时则会出现Al源的并入效率饱和。采用AlN过渡层技术,外延生长了表面无裂纹的45%Al组分较厚(100～200nm)AlGaN薄膜材料。所得材料的Al组分与气相Al组分相同,(0002)面X射线衍射(XRD)双晶摇摆曲线半高宽(FWHM)为376arcsec,并发现AlN过渡层的质量影响着其上AlGaN材料的Al组分与晶体质量。实验观察到AlGaN材料的表面形貌随着样品中Al组分的增加从微坑主导模式逐步转变为微裂主导模式,采用AlN过渡层可延缓这一转变。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-01-22 |
| 源URL | [http://58.210.77.100/handle/332007/1005]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米加工公共平台 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 范亚明,张宝顺. Al组分AlGaN材料优化生长与组分研究[J]. 光电子激光,2012,23(9). |
| APA | 范亚明,&张宝顺.(2012).Al组分AlGaN材料优化生长与组分研究.光电子激光,23(9). |
| MLA | 范亚明,et al."Al组分AlGaN材料优化生长与组分研究".光电子激光 23.9(2012). |
入库方式： OAI收割
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